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机译:在硅衬底上生长4H碳化硅的简单方法
M. Asghar; M. Y. Shahid; F. Iqbal; K. Fatima; Muhammad Asif Nawaz; H. M. Arbi; R. Tsu;
机译:竞争晶格模型蒙特卡洛方法,用于模拟密堆积晶体中不同多型的竞争生长:4H和6H碳化硅
机译:模拟退火法在6H-碳化硅衬底上外延生长石墨烯
机译:使用二氯硅烷和硅烷气体在不同生长压力下4H碳化硅外延生长的比较
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:碳化硅-碳化硅纳米粒子在硅晶片表面的生长和自组装成蠕虫状纳米杂化结构。
机译:使用甲基三氯硅烷化学气相沉积在轴上碳化硅衬底上外延生长碳化硅
机译:碳化硅外延衬底,制造碳化硅外延衬底的方法,制造碳化硅半导体器件的方法,用于碳化硅生长设备的构件和碳化硅生长设备
机译:碳化硅表皮基质,制造碳化硅表皮基质的方法,制造碳化硅半导体器件的方法,碳化硅生长设备以及碳化硅生长设备的成员
机译:单晶碳化硅的液相外延生长方法,单晶碳化硅衬底的制造方法和单晶碳化硅衬底
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